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业绩太炸裂!
今日(1月8日),全球芯片巨头三星电子最新披露的业绩显示,2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元(约合人民币965亿元),同比大幅飙涨208%,高于市场预期。分析指出,这一业绩主要受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮。
另外,台积电也传来利好催化。据最新消息,台积电3nm制程持续供不应求,有业内人士透露,台积电今年除调高3nm报价外,已暂时停止3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的报告中,大幅上调了台积电的目标价。
四季度营利飙涨208%
1月8日,三星电子发布了2025年第四季度初步业绩,其中显示,公司2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元,较上年同期大幅增长208%,高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。
初步业绩报告显示,三星电子第四季度销售额同比增长23%,至93万亿韩元。这是三星单季销售额连续两个季度突破80万亿韩元,2025年第三季度的销售额为86万亿韩元。
有分析指出,三星电子炸裂的业绩背后是,供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。
里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示,2025年第四季度,DRAM芯片的平均售价环比上涨超30%,NAND闪存的平均售价环比上涨了约20%。
Counterpoint Research预测,2026年第一季度DDR5价格还将环比上涨40%,第二季度将进一步增长 20%。DDR5是当前电脑和服务器采用的最新一代传统DRAM。
另据最新消息,三星电子与其竞争对手SK海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价,今年一季度报价将较去年第四季度大幅上涨60%—70%。
关于存储芯片价格持续上涨的原因,有机构分析称,一方面,芯片产业正转向AI相关芯片的生产,传统存储芯片产能因此受到挤压;另一方面,训练和运行AI模型对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。
另外,在高带宽存储(HBM)领域,三星电子的进展也超出市场预期。三星首席执行官全永铉此前表示,公司客户对其下一代HBM芯片(即HBM4)的竞争优势给予高度评价。
Counterpoint Research首席研究分析师Choi Jung-gu表示,HBM4中采用的先进1c工艺节点和4nm逻辑工艺,在速度和散热方面都满足了客户的需求,并取得了良好的效果。
Sanjeev Rana预计,随着HBM4进入商用阶段,三星电子2026年的HBM出货量将增加两倍。
股价方面,三星电子今日股价一度大幅冲高,盘中最高涨超2%,再度创出历史新高,随后股价大幅回落,最终收跌1.56%。三星电子股价2025年全年的累计涨幅高达125%,创下二十六年来最大年度涨幅。
台积电的利好
与此同时,台积电也传来重磅催化。据台湾《工商时报》最新报道,台积电先进制程维持高产能利用率,其中3nm制程持续供不应求。芯片业内人士透露,台积电今年除调高3nm报价外,已暂时停止3nm新案启动。
业内人士分析,主因在于订单满载、现有产能已难以负荷,短期内扩产速度亦难以追上客户需求涌入。台积电正鼓励仍处于产品规划初期的客户,直接评估导入2nm制程,以利后续量产与成本配置。
另据摩根大通报告,台积电2nm工艺流片数量达到3nm 同期的1.5倍,并有望凭借2nm工艺拿下全球AI加速器市场超过95%的份额。
摩根大通指出,台积电为应对由 AI 浪潮引发的“芯片饥渴”,已制定激进的生产目标,计划至2026年底,2nm工艺的晶圆月产能将达到惊人的140000片。这意味着,高性能计算领域将继续高度依赖台积电的先进支撑。
摩根大通预测,2026年将是台积电又一个强劲的增长年,预计其营收将同比增长30%,而2027年也将维持20%以上的增速。这一增长背后的核心驱动力毫无疑问是AI数据中心需求。
摩根大通将2024—2029年数据中心AI收入的复合年增长率(CAGR)预测从53%上调至57%。预计到2029年,数据中心AI业务将占台积电总营收的40%以上(2024年这一比例仅为十几的中位数)。
为了应对从2026年延续到2028年的强劲需求,台积电正在开启新一轮的资本开支上行周期。
摩根大通预测,台积电2026年资本开支约为480亿美元,2027年将跃升至550亿美元,以支持N2、N3及美国工厂的扩产。


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